项目领域：5G\射频前端\滤波器芯片\

项目简介：

项目团队联合中科院电工所，掌握了2--6英寸硅基金刚石薄膜制备工艺、2--6英寸取向压电薄膜制备工艺和金刚石基射频滤波器芯片的设计、半导体工艺、封装、检测技术，并已经完成局部流片验证，完成了金刚石基滤波器芯片核心技术攻关工作。本项目产品将打破现有市场铌酸锂或钽酸锂压电单晶基片的垄断局面，实现换道超车。

创新点：

现有的滤波器芯片主要是在铌酸锂或钽酸锂压电单晶基片的基础上进行设计和开发的。经过多年的发展，铌酸锂、钽酸锂材料制作工艺及芯片设计工艺已经被美国、日本企业实现了技术垄断和专利垄断。在压电单晶路线上，国内企业目前很难实现技术赶超和专利的突破。金刚石的声表面波传输速度是铌酸锂3倍以上，金刚石基滤波器芯片使用同样的声表面波技术，能够使滤波器的滤波频率从2.5 GHz提升到5 GHz以上,从而大幅度降低2.5GHz—5 GHz所采用的体波技术成本，并增强了高频滤波器芯片的可集成性。

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